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使用半導體分立器件測試儀的方法

發(fā)布時間: 2017-07-20  點擊次數(shù): 639次

半導體分立器件測試儀
一、產(chǎn)品特點:
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計算機操控,測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點測試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實際測試應用中各項技術指標均可達到器件手冊技術指標及國標要求。
二、測試參數(shù)
1. 二管
VF、IR、BVR
2. 穩(wěn)壓(齊納)二管
VF、IR、BV Z
3. 晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4. 可控硅整流器(晶閘管)
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5. 場效應管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS


6. 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7.三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV

三、測試參數(shù)范圍

晶體管

 

測試參數(shù)

測試范圍

ICEO

ICBO

IEBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1-99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

0. 10V-50V

50V-1499V

 

二管

 

測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-50V

 

50V-1499V

 

穩(wěn)壓二管

 

測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-50V

 

三端穩(wěn)壓器

 

測試參數(shù)

測試范圍

VO

0.10V-30V

SV

0.10mV-1V

ID

1uA-10mA

IDV

1uA-10mA

 

MOSFET

 

測試參數(shù)

測試范圍

VGS(th)

0.10V-30V

gfs

0.1mS-1000S

RDS(on)

10mΩ-100KΩ

VDS(on)

0.10V-50V

IGSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IDSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID(on)

0-50A

V(BR)GSS

0.1V-30V

V(BR)DSS

0.1V-1499V

 

光耦

 

測試參數(shù)

測試范圍

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-50V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

與IR參數(shù)相同

V(BR)ECO V(BR)CEO

0.10V-50V

50V-1499V

 

可控硅

 

測試參數(shù)

測試范圍

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-50V

 

四、技術指標

1、源的指標

主壓流源 (VA)

電壓:

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