国产伦精品一区二区三区视-精品国产一区二区三区竹菊-久久精品国产亚洲av成人萌-一区二区三区高清在线观看国产

歡迎光臨北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司網(wǎng)站!
全國服務咨詢熱線:

13121899399

產(chǎn)品中心/PRODUCT
技術(shù)文章 / article 您的位置:網(wǎng)站首頁 > 技術(shù)文章 > 金屬薄膜方塊電阻測試儀KDB-2B 儀器特點

金屬薄膜方塊電阻測試儀KDB-2B 儀器特點

發(fā)布時間: 2016-04-08  點擊次數(shù): 444次
 

KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻,該方法操作簡單,測量。
儀器特點如下:
1、配有雙數(shù)字表:一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更。
數(shù)字電壓表量程:0—19.999mV 靈敏度:1μV 輸入阻抗:1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ;
2、方塊電阻測量范圍:1×10-5~1.9Ω/□;
3、電流量程分兩檔:100mA和1000mA。

技術(shù)支持:環(huán)保在線   sitemap.xml   管理登陸
© 2024 版權(quán)所有:北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司   備案號:京ICP備11038408號-5

聯(lián)